Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
ОСНОВАН В 1909 ГОДУ
  • ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХ
наверх

Профиль: Микро- и наноэлектроника, диагностика нано- и биомедицинских систем

10 мест

Сколько бюджетных мест?

Математика

Физика или информатика

Русский язык

Какие ЕГЭ нужны?

Очная

Форма обучения? 

4 года 

Продолжительность учёбы?

Руководитель образовательной программы: Скрипаль Александр Владимирович, заведующий кафедры физики твёрдого тела, доктор физико-математических наук, профессор

Бакалавр по указанному направлению подготовки может занимать следующие должности: инженер-электроник, инженер-технолог, инженер-лаборант.

Область профессиональной деятельности выпускников, освоивших программу бакалавриата включает теоретическое и экспериментальное исследование, математическое и компьютерное моделирование, проектирование, конструирование, технологию производства, использование и эксплуатацию материалов, компонентов, электронных приборов, устройств, установок вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой, оптической, микро- и наноэлектроники различного функционального назначения.

Получение квалификации бакалавра по направлению подготовки 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» позволяет продолжить обучение в магистратуре по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника».

В учебных лабораториях кафедры физики твердого тела

Научное оборудование кафедры и лабораторий

Фрезерный станок с ЧПУ
Цифровой оптический микроскоп
Фрезерный станок для плат с ЧПУ
Зондовый атомно-силовой и СВЧ-микроскоп
Shimadzu IRAffinity
Quorum Q150R ES
3D-принтер
Зондовая станция для измерения поверхностного сопротивления
Прецизионный лазерный гравер
Векторный анализатор для измерения СВЧ-цепей

Основные научные направления

  1. Разработка и создание ближнеполевого измерителя параметров нанослоев;

  2. Разработка компьютерного комплекса с программным обеспечением для измерения толщины нанометровых пленок;

  3. Разработка лазерного автодинного измерителя параметров движений;

  4. Разработка перспективных цифровых устройств и приборов, на основе троичной логики;

  5. Исследование и разработка электронной компонентной базы СВЧ и субтерагерцевого диапазонов на основе алмазографитовых нанокомпозитов;

  6. Разработка брэгговской элементной базы электроники микроволнового и терагерцового диапазонов.

Ближнеполевой измеритель параметров нанослоев
Лазерный автодинный измеритель параметров движений
Комплекс для измерения толщины нанометровых пленок
Устройство троичной логики
Модель устройства троичной логики
  • Исследование проблемы электромагнитной совместимости радиоэлектронных схем при использовании современной полупроводниковой элементной базы;

  • Исследование резонансных эффектов СВЧ- и субтерагерцового диапазонов в метаматериалах на основе брэгговских структур с изменяемой структурой нарушения периодичности и интерфейса. СВЧ фотонные кристаллы на основе волноводных, коаксиальных, микрополосковых брэгговских структур;

  • Теоретическое и экспериментальное обоснование новых технологий измерения толщины и электропроводности нанослоёв в квантоворазмерных структурах по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними излучения сверхвысокочастотного и оптического диапазонов;

  • Исследование многокомпонентных сред на основе наноразмерных ферромагнитных кластерных образований с использованием радиоволновых технологий контроля.

Современная полупроводниковая элементная база
Элемент базы электроники микроволнового диапазона
Элемент микроволнового и терагерцового диапазонов
Элемент базы электроники терагерцового диапазона
  • Теоретическое и экспериментальное обоснование новых технологий измерения толщины и электропроводности нанослоёв в квантоворазмерных структурах по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними излучения сверхвысокочастотного и оптического диапазонов;

  • Исследование многокомпонентных сред на основе наноразмерных ферромагнитных кластерных образований с использованием радиоволновых технологий контроля;

  • Теоретическое и экспериментальное обоснование радиоволновых технологий контроля параметров нанокомпозитов с включениями в виде углеродных нанотрубок;

  • Исследование колебательных и волновых процессов в полупроводниках, полупроводниковых структурах и приборах в СВЧ, КВЧ и других частотных диапазонах;

  • Разработка 2D периодических пористых и тубулярных наноструктур на основе пористого анодного оксида алюминия (ПАОА) и диоксида титана для высокоэффективных молекулярных сенсорных устройств различного назначения резистивного и оптического типов;

  • Технология получения и исследование свойств микрочастиц карбоната кальция, модифицированных наночастицами магнетита, на органических волокнах.

Будущие места работы выпускников

НПП «Алмаз»
НПЦ «Алмаз-Фазотрон»
НПП «Инжект»
ЭПО «Сигнал»

Научно-производственный центр «Алмаз-Фазотрон» г. Саратов

Научно-производственное предприятие «Алмаз», г. Саратов

Консультацию по условиям приёма можно получить у ответственного секретаря приемной комиссии института физики Корабель Марина Викторовна по телефону +7 (8452) 51 - 45 – 40 или электронному адресу infiz.priem@yandex.ru

Узнать более детальную информацию о направлениях подготовки и специальностях, количестве мест, программе вступительных испытаний, особых условиях поступления, стоимости обучения можно на сайте в разделе «Приём 2024».